納米多層薄膜物相隨深度變化引言掠入射X射線衍射（GID）是表征薄膜材料的有效手段。通過(guò)控制不同的入射角度，進(jìn)而控制X射線在薄膜中的穿透深度，可以確定薄膜材料的結(jié)構(gòu)隨深度變化的信息。實(shí)例45nmNiO/355nmSnO2/玻璃薄膜的GID測(cè)試由于具有出色的適應(yīng)能力，使用D8ADVANCE，您就可對(duì)所有類(lèi)型的樣品進(jìn)行測(cè)量：從液體到粉末、從薄膜到固體塊狀物。無(wú)論是新手用戶還是**用戶，都可簡(jiǎn)單快捷、不出錯(cuò)地對(duì)配置進(jìn)行更改。這都是通過(guò)布魯克獨(dú)特的DAVINCI設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的：配置儀器時(shí)，免工具、免準(zhǔn)直，同時(shí)還受到自動(dòng)化的實(shí)時(shí)組件識(shí)別與驗(yàn)證的支持。不只如此——布魯克提供基于NIST標(biāo)樣剛玉（SRM1976）的準(zhǔn)直保證。目前，在峰位、強(qiáng)度和分辨率方面，市面上尚無(wú)其他粉末衍射儀的精度超過(guò)D8ADVANCE。從微米到納米厚度的涂層或外延膜的樣品都受益，用于評(píng)估晶體質(zhì)量、薄膜厚度、成分外延排列和應(yīng)變松弛技術(shù)。深圳微觀應(yīng)變分析XRD衍射儀

二氧化鋯多晶型分析引言二氧化鋯化學(xué)性質(zhì)不活潑，且具有高熔點(diǎn)、高電阻率、高折射率和低熱膨脹系數(shù)等獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)，使它成為重要的耐高溫材料、陶瓷絕緣材料和陶瓷遮光劑。其結(jié)構(gòu)主要有三種晶型：?jiǎn)涡毕唷⑺姆较嘁约傲⒎较唷２煌w結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的物理化學(xué)性質(zhì)有較大區(qū)別，X射線衍射是區(qū)分二氧化鋯晶型的主要手段之一。同時(shí)利用先進(jìn)的Rietveld方法可對(duì)二氧化鋯多晶型樣品進(jìn)行快速定量分析。實(shí)例二氧化鋯多晶型定性分析左插圖：微量的二氧化鋯單斜相右插圖：二氧化鋯四方相和立方相區(qū)分明顯上海共格檢測(cè)分析在DIFFRAC.SAXS中，對(duì)EIGER2 R 500K通過(guò)2D模式手機(jī)的NIST SRM 8011 9nm金納米顆粒進(jìn)行粒度分析。

介孔分子篩SBA-15結(jié)構(gòu)分析引言介孔分子篩SBA-15具有大晶胞的二維六方孔狀結(jié)構(gòu)，具有更大的孔徑、更厚的孔壁和更高的孔容，而且具有更好的水熱穩(wěn)定性，有利于它在溫度較高、體系中有水的反應(yīng)中應(yīng)用，因此在催化、分離、生物及納米材料等領(lǐng)域有應(yīng)用前景。SBA-15結(jié)構(gòu)特穩(wěn)定性和其孔徑大小與性能有較大關(guān)聯(lián)，而XRD是表征其結(jié)構(gòu)的有效方法之一。由于SBA-15的晶胞較大，其衍射峰往往出現(xiàn)在非常低的角度，這導(dǎo)致很難從直射光和空氣散射中區(qū)分其衍射信號(hào)。目前，隨著衍射儀的發(fā)展，動(dòng)態(tài)光路對(duì)的設(shè)計(jì)很好的解決了這類(lèi)問(wèn)題。實(shí)例SBA-15小角度XRD圖譜，五個(gè)衍射峰分別對(duì)應(yīng)(100)、(110)、(200)、(300)、(220)。根據(jù)圖2示意圖，計(jì)算得到平均孔距

RuO2薄膜掠入射XRD-GID引言薄膜材料就是厚度介于一個(gè)納米到幾個(gè)微米之間的單層或者多層材料。由于厚度比較薄，薄膜材通常依附于一定的襯底材料之上。常規(guī)的XRD測(cè)試，X射線的穿透深度一般在幾個(gè)微米到幾十個(gè)微米，這遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于薄膜的厚度，導(dǎo)致薄膜的信號(hào)會(huì)受到襯底的影響（圖1）。另外，如果衍射簡(jiǎn)單較高，那么X射線只能輻射到部分樣品，無(wú)法利用整個(gè)樣品的體積，衍射信號(hào)弱。薄膜掠入射衍射（GID：GrazingIncidenceX-RayDiffraction）很好的解絕了以上問(wèn)題。所謂掠入射是指使X射線以非常小小的入射角（＜5°）照射到薄膜上，小的入射角大大減小了在薄膜中的穿透深度，同時(shí)增加衍射顆粒的數(shù)目和x射線在薄膜中的光程。這里有兩點(diǎn)說(shuō)明：GID需要硬件配置；常規(guī)GID只適合多晶薄膜和非晶薄膜，不適合單晶外延膜。更換光學(xué)期間時(shí)，無(wú)需工具，亦無(wú)需對(duì)光，因此您可輕松快速地更改配置。

XRD檢測(cè)納米二氧化鈦晶粒尺寸引言納米材料的性能往往和其晶粒大小有關(guān)，而X射線衍射是測(cè)定納米材料晶尺寸的有效方法之一。晶粒尺寸Dhkl(可理解為一個(gè)完整小單晶的大小)可通過(guò)謝樂(lè)公示計(jì)算Dhkl：晶粒尺寸，垂直于晶面hkl方向β:hkl晶面的半高寬（或展寬）θ：hkl晶面的bragg角度λ：入射X光的波長(zhǎng)，一般Cu靶為1.54埃K：常數(shù)（晶粒近似為球形，K=0.89；其他K=1）ADVANCE采用了開(kāi)放式設(shè)計(jì)并具有不受約束的模塊化特性的同時(shí)，將用戶友好性、操作便利性以及安全操作性發(fā)揮得淋漓盡致，這就是布魯克DAVINCI設(shè)計(jì)憑借RapidRSM技術(shù)，能在 短的時(shí)間內(nèi)，測(cè)量大面積倒易空間。在DIFFRAC.LEPTOS中，進(jìn)行倒易點(diǎn)陣轉(zhuǎn)換和分析。湖南微觀應(yīng)變分析XRD衍射儀檢測(cè)

D8D在金屬樣品檢測(cè)中，殘余奧氏體、殘余應(yīng)力和織構(gòu)檢測(cè)是其中小部分，目的在于確保產(chǎn)品完成復(fù)合用戶需求。深圳微觀應(yīng)變分析XRD衍射儀

殘余應(yīng)力分析：：在DIFFRAC.LEPTOS中，使用sin2psi法，用Cr輻射進(jìn)行測(cè)量，對(duì)鋼構(gòu)件的殘余應(yīng)力進(jìn)行分析。使用了2D檢測(cè)器的μXRD：使用DIFFRAC.EVA,測(cè)定小區(qū)域結(jié)構(gòu)特性。通過(guò)積分2D圖像，進(jìn)行1D掃描，來(lái)進(jìn)行定性相分析和微觀結(jié)構(gòu)分析。定性相分析：候選材料鑒別（PMI）為常見(jiàn)，這是因?yàn)槠鋵?duì)原子結(jié)構(gòu)十分靈敏，而這無(wú)法通過(guò)元素分析技術(shù)實(shí)現(xiàn)。高通量篩選（HTS）:在DIFFRAC.EVA中，進(jìn)行半定量分析，以現(xiàn)實(shí)孔板上不同相的濃度。非環(huán)境XRD：在DIFFRAC.WIZARD中配置溫度曲線并將其與測(cè)量同步，然后可以在DIFFRAC.EVR中顯示結(jié)果。小角X射線散射（SAXS）：在DIFFRAC.SAXS中，對(duì)EIGER2R500K通過(guò)2D模式手機(jī)的NISTSRM80119nm金納米顆粒進(jìn)行粒度分析。深圳微觀應(yīng)變分析XRD衍射儀