在有充分調(diào)節(jié)余量的前提下維持輸出電壓的恒定。觸發(fā)板還可以通過輔助控制功能實現(xiàn)軟起動、軟關斷，外部信號轉(zhuǎn)換等功能。恒功率特性觸發(fā)板，其內(nèi)環(huán)為電流環(huán)，外環(huán)為功率環(huán)，其原理與上相同。恒電流特性觸發(fā)板，只有一個電流調(diào)節(jié)環(huán)節(jié)。功能特點*采用移相觸發(fā)方式，適用于阻性、感性負載，變壓器一次側*具有多種控制信號選擇。*具有“自動限流”功能，負載電流大于額定值時，調(diào)壓器輸出電流被限制在額定值左右。*具有軟起動、軟關斷功能，減少對電網(wǎng)的沖擊和干擾，使主回路晶閘管更加安全可靠。*具有恒電壓、恒電流、恒功率三種反饋形式供用戶選擇。*具有輸入電源斷相、過電流、晶閘管過熱等保護功能，保護時相應的發(fā)光二極管指示燈亮，同時故障報警輸出接點動作。*主電路和控制電路一體化結構，體積小，重量輕，使用、維護十分方便詞條標簽：科技產(chǎn)品。 可控硅調(diào)整器能與國內(nèi)外各種控制儀表、微機的輸出信號直接接口。四川可控硅芯片廠家

    也可以用圖4中的測試電路測試普通晶閘管的觸發(fā)能力。電路中，vT為被測晶閘管，HL為6．3V指示燈(手電筒中的小電珠)，GB為6V電源(可使用4節(jié)1．5V干電池或6V穩(wěn)壓電源)，S為按鈕，R為限流電阻。當按鈕S未接通時，晶閘管VT處于阻斷狀態(tài)，指示燈HL不亮(若此時HL亮，則是vT擊穿或漏電損壞)。按動一下按鈕S后(使S接通一下，為晶閘管VT的門極G提供觸發(fā)電壓)，若指示燈HL一直點亮，則說明晶閘管的觸發(fā)能力良好。若指示燈亮度偏低，則表明晶閘管性能不良、導通壓降大(正常時導通壓降應為1v左右)。若按鈕S接通時，指示燈亮，而按鈕S斷開時，指示燈熄滅，則說明晶閘管已損壞，觸發(fā)性能不良。2．雙向晶閘管的檢測(1)判別各電極：用萬用表R×1或R×10檔分別測量雙向晶閘管三個引腳間的正、反向電阻值，若測得某一管腳與其他兩腳均不通，則此腳便是主電極T2。找出T2極之后，剩下的兩腳便是主電極Tl和門極G3。測量這兩腳之間的正、反向電阻值，會測得兩個均較小的電阻值。在電阻值較小(約幾十歐姆)的一次測量中，黑表筆接的是主電極T1，紅表筆接的是門極G。螺栓形雙向晶閘管的螺栓一端為主電極T2，較細的引線端為門極G，較粗的引線端為主電極T1。金屬封裝(To—3)雙向晶閘管的外殼為主電極T2。西門康可控硅嚴格控制貯存時間ts并恰當調(diào)整整機電路，就可以降低對hFE參數(shù)的依賴程度。

    用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。雙向可控硅的檢測。用萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為***陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A1、G極后，再仔細測量A1、G極間正、反向電阻，讀數(shù)相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為***陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2，紅表筆接***陽極A1，此時萬用表指針不應發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數(shù)應保持10歐姆左右。互換紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接***陽極A1。同樣萬用表指針應不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負的觸發(fā)電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數(shù)應不變，保持在10歐姆左右。符合以上規(guī)律。

    應用同樣方法改測其他電極，直到找出三個電極為止。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K，而另一腳即為門極G。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極。例如：螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A，較細的引線端為門極G，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連。圖1為幾種普通晶閘管的引腳排列。(2)判斷其好壞：用萬用表R×1kΩ檔測量普通晶閘管陽極A與陰極K之間的正、反向電阻，正常時均應為無窮大(∞)；若測得A、K之間的正、反向電阻值為零或阻值均較小，則說明晶閘管內(nèi)部擊穿短路或漏電。測量門極G與陰極K之間的正、反向電阻值，正常時應有類似二極管的正、反向電阻值(實際測量結果要較普通二極管的正、反向電阻值小一些)，即正向電阻值較小(小于2kΩ)，反向電阻值較**于80kΩ)。若兩次測量的電阻值均很大或均很小，則說明該晶閘管G、K極之間開路或短路。若正、反電阻值均相等或接近，則說明該晶閘管已失效。可控硅觸發(fā)板用于同步機勵磁控制、汽輪發(fā)電機機勵磁控制等。

    應當G-S極間短路一下。這是因為G-S結電容上會充有少量電荷，建立起ＶGＳ電壓，造成再進行測量時表針可能不動，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。（4）用測電阻法判別無標志的場效應管首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個腳為***柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來，對調(diào)表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ；紅表筆所接的為源極Ｓ。用這種方法判別出來的Ｓ、Ｄ極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極，兩種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對應位置裝人電路，一般G1、G2也會依次對準位置，這就確定了兩個柵極G1、G2的位置，從而就確定了Ｄ、S、G1、G2管腳的順序。（5）用測反向電阻值的變化判斷跨導的大小對ＶＭＯＳＮ溝道增強型場效應管測量跨導性能時，可用紅表筆接源極Ｓ、黑表筆接漏極Ｄ，這就相當于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔。三相恒壓|恒流|恒功率晶閘管功率控制器是移相觸發(fā)型的晶閘管電力控制器。南通電子可控硅

通常把電流容量在1安以下的器件稱為整流二極管，1安以上的稱為整流器。四川可控硅芯片廠家

    正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。VMOS場效應功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點，尤其是其具有負的電流溫度系數(shù)，即在柵-源電壓不變的情況下，導通電流會隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象。因此，VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應用。眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極、源極和漏極**致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結構特點:***，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，***垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。國內(nèi)生產(chǎn)VMOS場效應管的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產(chǎn)品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介紹檢測VMOS管的方法。四川可控硅芯片廠家

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