雙向晶閘管（Triac）是一種能雙向導通的半導體功率器件，本質上相當于兩個反并聯的普通晶閘管（SCR）集成在同一芯片上。其結構由五層半導體（P-N-P-N-P）構成，擁有三個電極：主端子 T1、T2 和門極 G。與單向晶閘管不同，雙向晶閘管無論在交流電壓的正半周還是負半周，只要門極施加合適的觸發信號，就能導通。觸發方式分為四種模式：T2 為正，G 為正（模式 Ⅰ+）；T2 為正，G 為負（模式 Ⅰ-）；T2 為負，G 為正（模式 Ⅲ+）；T2 為負，G 為負（模式 Ⅲ-）。其中，模式 Ⅰ+ 的觸發靈敏度*高，模式 Ⅲ- *低。雙向晶閘管的伏安特性曲線關于原點對稱，體現了其雙向導電的特性。在交流電路中，通過控制觸發角可實現對交流電的斬波調壓，廣泛應用于調光器、電機調速和家用電子設備中。例如，在臺燈調光電路中，雙向晶閘管可根據用戶需求調節導通角，改變燈泡兩端的有效電壓，從而實現燈光亮度的平滑調節。 晶閘管與IGBT相比，耐壓更高但開關速度較慢。高頻晶閘管質量

晶閘管在實際應用中面臨過壓、過流、di/dt和dv/dt等應力，必須設計完善的保護電路以確保其安全可靠運行。
過壓保護通常采用RC吸收電路和壓敏電阻（MOV）。RC吸收電路并聯在晶閘管兩端，當出現電壓尖峰時，電容充電限制電壓上升率，電阻則消耗能量防止振蕩。壓敏電阻具有非線性伏安特性，當電壓超過閾值時，其阻值急劇下降，將過電壓鉗位在安全范圍內。例如，在感性負載電路中，晶閘管關斷時會產生反電動勢，RC吸收電路和MOV可有效抑制這一電壓尖峰。
過流保護主要依靠快速熔斷器和電流檢測電路。快速熔斷器在電流超過額定值時迅速熔斷，切斷電路；電流檢測電路（如霍爾傳感器）實時監測電流，當檢測到過流時，通過控制電路提前關斷晶閘管或觸發保護動作。在高壓大容量系統中，還可采用限流電抗器限制短路電流上升率。 ABB晶閘管產品介紹光控晶閘管模塊以光信號觸發，提供電氣隔離，增強了系統的抗干擾能力。

由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發信號是正向還是反向，它都能被觸發導通，因此它有以下四種觸發方式：(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對***電極Tl所加的也是正向觸發信號。雙向可控硅觸發導通后，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知，這時雙向可控硅觸發導通規律是按***象限的特性進行的，又因為觸發信號是正向的，所以把這種觸發叫做“***象限的正向觸發”或稱為I+觸發方式。(2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發信號改為反向信號，這時雙向可控硅觸發導通后，通態電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發叫做“***象限的負觸發”或稱為I-觸發方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12，輸入正向觸發信號，雙向可控硅導通后，通態電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作，因此把這種觸發叫做Ⅲ+觸發方式。 (4)兩個主電極仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發信號，雙向可控硅導通后，通態電流仍從T1流向T2。這種觸發就叫做Ⅲ-觸發方式。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發方式，但由于負信號觸發所需要的觸發電壓和電流都比較小。工作比較可靠，因此在實際使用時，負觸發方式應用較多。

晶閘管是一種重要的電力控制器件，它在電子和電力領域中發揮著關鍵的作用。其主要功能是控制電流流動，實現電力的開關和調節。
（1）交流-直流轉換
晶閘管可以將交流電轉換為直流電，這在一些特定的應用中很有用，如直流電動機的驅動、直流電源的獲取等。
（2）電壓控制
晶閘管還可以用來控制電路的電壓，通過控制晶閘管的觸發角來調整電壓波形，實現對電路的電壓進行調節。
（3）電力因數校正
晶閘管可以用來改善電力系統的功率因數。通過控制晶閘管的導通角，可以在電路中產生一定的諧波電流，從而改善系統的功率因數。

電力穩定性提升： 在電力系統中，晶閘管可以用于調整電壓和電流，從而提高電力系統的穩定性，降低電力系統中的電壓波動和電流浪涌。 溫度補償技術確保晶閘管模塊在寬溫范圍內穩定工作。

（1）按晶閘管類型分類SCR模塊：用于可控整流、電機驅動等，如三相全橋整流模塊。TRIAC模塊：適用于交流調壓，如調光器、家電控制。GTO模塊：用于高壓大電流場合，如電力電子變換器、HVDC（高壓直流輸電）。IGCT模塊（集成門極換流晶閘管）：結合GTO和IGBT優點，適用于兆瓦級變流器。
（2）按電路拓撲分類單管模塊：單個晶閘管封裝，適用于簡單開關控制。半橋/全橋模塊：用于整流或逆變電路，如變頻器、UPS電源。三相整流模塊：由6個SCR組成，用于工業電機驅動、電焊機等。
（3）按智能程度分類普通晶閘管模塊：需外置驅動電路，如傳統SCR模塊。智能功率模塊（IPM）：集成驅動、保護功能，如三菱的NX系列。 不間斷電源（UPS）中，晶閘管模塊用于切換備用電源。門極可關斷晶閘管一般多少錢

晶閘管的觸發角控制可調節輸出電壓或功率。高頻晶閘管質量

晶閘管在實際應用中面臨過壓、過流、di/dt 和 dv/dt 等應力，必須設計完善的保護電路以確保其安全可靠運行。
di/dt保護是防止晶閘管在導通瞬間因電流上升率過大而損壞的關鍵。過大的di/dt會導致結溫局部過高，甚至引發器件長久性損壞。通常在晶閘管陽極串聯電感（如空心電抗器）或采用飽和電抗器，限制di/dt在允許范圍內（一般為幾十A/μs至幾百A/μs）。
dv/dt保護用于防止晶閘管在阻斷狀態下因電壓上升率過大而誤觸發。過高的dv/dt會使結電容充電電流增大，當該電流超過門極觸發電流時，晶閘管將誤導通。常用的dv/dt保護措施是在晶閘管兩端并聯RC緩沖電路，降低電壓上升率。 高頻晶閘管質量