二極管具有單向導電性，二極管的伏安特性曲線如圖2所示 。二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓，當電壓值較小時，電流極小；當電壓超過0.6V時，電流開始按指數規律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓；當電壓達到約0.7V時，二極管處于完全導通狀態，通常稱此電壓為二極管的導通電壓，用符號UD表示。
對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏。 Infineon二極管模塊通過AEC-Q101認證，抗沖擊性強，適用于汽車電子等高可靠性場景。限幅二極管價錢

高電壓二極管模塊（耐壓超過3kV）通常用于高壓直流輸電（HVDC）、軌道交通和工業變頻器等場景。這類模塊的設計面臨多項挑戰，包括耐壓隔離、電場均布和散熱管理。為解決這些問題，制造商常采用多層DBC基板、分段屏蔽結構以及高性能絕緣材料（如AlN陶瓷）。此外，高電壓模塊還需通過嚴格的局部放電測試和熱循環驗證，以確保長期可靠性。例如，在風電變流器中，高壓二極管模塊需承受頻繁的功率波動和惡劣環境條件，因此其封裝工藝和材料選擇尤為關鍵。未來，隨著SiC和GaN技術的成熟，高壓二極管模塊的性能和功率密度將進一步提升。 SEMIKRON賽米控二極管哪個好利用 PN 結單向導電性，二極管模塊在電路中實現電流單向導通，阻斷反向電流。

二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。PN結具有單向導電性，在PN結外加正向電壓V，在這個外加電場的作用下，PN結的平衡狀態被打破，P區中的空穴和N區的電子都往PN結方向移動，空穴和PN結P區的負離子中和，電子和PN結N區的正離子中和，這樣就使PN結變窄。隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。當外加電壓超過門檻電壓，PN結相當于一個阻值很小的電阻，也就是PN結導通。

西門康SKiiP智能功率模塊中的二極管技術

SKiiP系列智能模塊集成了西門康優化的二極管單元，具有三大主要技術：動態均流架構通過三維銅基板布局實現多芯片自動均衡；25μm厚SKiN銅帶互連使熱阻降低40%；集成NTC和霍爾傳感器實現±1%精度監測。在注塑機伺服系統中，該模塊連續運行8萬小時無故障。SKiiP4更創新性地將柵極驅動與二極管單元單片集成，開關速度提升至30ns，特別適合50kHz以上高頻應用。實測數據顯示，在200kW伺服驅動中采用該模塊后，系統效率提升至98.5%。 肖特基二極管模塊反向恢復時間極短，適用于高頻開關電源，減少能量損耗和發熱。

賽米控SEMiX系列二極管模塊**了功率領域的封裝**。該平臺采用創新的"三明治"結構設計，將DCB基板、芯片和散熱底板通過納米銀燒結工藝一體化集成。以SEMiX 453GB12E4s為例，該1200V/450A模塊的寄生電感*7nH，比傳統模塊降低50%。獨特的壓力接觸系統（PCS）技術消除了焊接疲勞問題，使模塊在ΔTj=80K的功率循環條件下壽命超過30萬次。在電梯變頻器應用中，實測顯示采用該模塊的系統效率提升至98.8%，溫升降低15K。賽米控還提供模塊化設計套件（MDK），支持客戶快速實現不同拓撲配置。脈沖電流（IFSM）參數反映二極管模塊的浪涌耐受能力，啟動電路需重點關注。天津二極管批發

替換二極管模塊時，需確保新器件的電壓、電流參數不低于原型號，且封裝兼容。限幅二極管價錢

Infineon英飛凌作為全球功率半導體領域的**企業，其二極管模塊產品以高性能、高可靠性著稱，廣泛應用于工業驅動、新能源發電、汽車電子等領域。英飛凌采用先進的薄晶圓技術和創新的封裝工藝，使模塊在功率密度、能效和散熱性能方面處于行業**水平。例如，其EconoPACK?系列模塊采用TRENCHSTOP?溝槽技術，***降低導通損耗，1200V/300A模塊的正向壓降*1.25V，比傳統方案節能20%。此外，英飛凌的SiC（碳化硅）肖特基二極管模塊（CoolSiC?系列）憑借零反向恢復電荷（Qrr）特性，成為高頻、高功率應用的理想選擇，特別適用于電動汽車和太陽能逆變器。限幅二極管價錢