針對航天電子需求,中清航科在屏蔽室內完成切割(防宇宙射線干擾)。采用低介電刀具材料,避免靜電放電損傷,芯片單粒子翻轉率降至10?? errors/bit-day。中清航科提供IATF 16949認證切割參數包:包含200+測試報告(剪切力/熱沖擊/HAST等),加速客戶車規芯片認證流程,平均縮短上市時間6個月。中清航科殘渣圖譜數據庫:通過質譜分析切割碎屑成分,溯源工藝缺陷。每年幫助客戶解決15%的隱性良率問題,挽回損失超$300萬。中清航科氣動懸浮切割頭:根據晶圓厚度自動調節壓力(范圍0.1-5N,精度±0.01N)。OLED顯示面板切割良率提升至99.8%,邊緣像素損壞率<0.01%。
為滿足半導體行業的快速交付需求,中清航科建立了高效的設備生產與交付體系。采用柔性化生產模式,標準型號切割設備可實現 7 天內快速發貨,定制化設備交付周期控制在 30 天以內。同時提供門到門安裝調試服務,配備專業技術團隊全程跟進,確保設備快速投產。在晶圓切割的工藝參數優化方面,中清航科引入實驗設計(DOE)方法。通過多因素正交試驗,系統分析激光功率、切割速度、焦點位置等參數對切割質量的影響,建立參數優化模型,可在 20 組實驗內找到比較好工藝組合,較傳統試錯法減少 60% 的實驗次數,加速新工藝開發進程。鎮江sic晶圓切割廠晶圓切割粉塵控制選中清航科靜電吸附系統,潔凈度達標Class1。
在半導體設備國產化替代的浪潮中,中清航科始終堅持自主創新,中心技術 100% 自主可控。其晶圓切割設備的關鍵部件如激光發生器、精密導軌、控制系統等均實現國產化量產,不僅擺脫對進口部件的依賴,還將設備交付周期縮短至 8 周以內,較進口設備縮短 50%,為客戶搶占市場先機提供有力支持。展望未來,隨著 3nm 及更先進制程的突破,晶圓切割將面臨更小尺寸、更高精度的挑戰。中清航科已啟動下一代原子級精度切割技術的研發,計劃通過量子點標記與納米操控技術,實現 10nm 以下的切割精度,同時布局晶圓 - 封裝一體化工藝,為半導體產業的持續發展提供前瞻性的技術解決方案,與全球客戶共同邁向更微觀的制造領域。
為滿足汽車電子追溯要求,中清航科在切割機集成區塊鏈模塊。每片晶圓生成單獨工藝參數數字指紋(含切割速度、溫度、振動數據),直通客戶MES系統,實現零缺陷溯源。面向下一代功率器件,中清航科開發等離子體輔助切割(PAC)。利用微波激發氧等離子體軟化切割區材料,同步機械分離,切割效率較傳統方案提升5倍,成本降低60%。邊緣失效區(Edge Exclusion Zone)浪費高達3%晶圓面積。中清航科高精度邊緣定位系統通過AI識別有效電路邊界,定制化切除輪廓,使8英寸晶圓可用面積增加2.1%,年省材料成本數百萬。
中清航科ESG解決方案:設備內置能源管理模塊,智能調節激光功率與主軸轉速,單次切割能耗降低42%。碳追蹤平臺每8小時生成減排報告,助力客戶達成碳中和目標,已獲全球25家代工廠采購認證。功率器件背面金層在切割中易翹曲。中清航科開發脈沖電流輔助切割,在刀片-晶圓界面施加微電流(<10mA),瞬時加熱至150℃軟化金層,剝離風險下降90%,剪切強度保持>45MPa。中清航科推出粉塵組分診斷系統:通過LIBS(激光誘導擊穿光譜)在線分析顆粒元素構成,自動推薦冷卻液配方調整方案。幫助客戶減少因金屬污染導致的芯片失效,良率提升1.2%。中清航科切割冷卻系統專利設計,溫差梯度控制在0.3℃/mm。麗水12英寸半導體晶圓切割寬度
切割刀痕深度控制中清航科技術達±0.2μm,減少后續研磨量。無錫晶圓切割
面對全球半導體產業鏈的區域化布局趨勢,中清航科建立了覆蓋亞洲、歐洲、北美地區的本地化服務網絡。其 7×24 小時在線技術支持團隊,可通過遠程診斷系統快速定位設備故障,配合就近備件倉庫,將平均故障修復時間(MTTR)控制在 4 小時以內,確??蛻羯a線的連續穩定運行。綠色制造已成為半導體行業的發展共識,中清航科在晶圓切割設備的設計中融入多項節能技術。其研發的變頻激光電源,能源轉換效率達到 92%,較傳統設備降低 30% 的能耗;同時采用水循環冷卻系統,水資源回收率達 95% 以上,幫助客戶實現環保指標與生產成本的雙重優化。無錫晶圓切割
中清航科(江蘇)科技有限公司是一家有著先進的發展理念,先進的管理經驗,在發展過程中不斷完善自己,要求自己,不斷創新,時刻準備著迎接更多挑戰的活力公司,在江蘇省等地區的數碼、電腦中匯聚了大量的人脈以及客戶資源,在業界也收獲了很多良好的評價,這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結果,這些評價對我們而言是最好的前進動力,也促使我們在以后的道路上保持奮發圖強、一往無前的進取創新精神,努力把公司發展戰略推向一個新高度,在全體員工共同努力之下,全力拼搏將共同中清航科科技供應和您一起攜手走向更好的未來,創造更有價值的產品,我們將以更好的狀態,更認真的態度,更飽滿的精力去創造,去拼搏,去努力,讓我們一起更好更快的成長!